RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 35
    周辺 -3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 2929

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
メモリRAM