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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

総合得点
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 10
    テスト平均値
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB 考慮すべき理由
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 56
    周辺 -12% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 1,813.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    4,387.7 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,813.5 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    693 left arrow 2159

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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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メモリRAM
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Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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