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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
総合得点
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
52
周辺 -79% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.2
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
14900
周辺 1.14 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
29
読み出し速度、GB/s
9.7
13.2
書き込み速度、GB/秒
7.2
10.6
メモリ帯域幅、mbps
14900
17000
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2173
2464
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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