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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
総合得点
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
総合得点
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
52
周辺 50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.8
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
8.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17500
10600
周辺 1.65 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
52
読み出し速度、GB/s
12.8
10.2
書き込み速度、GB/秒
9.0
8.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17500
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2319
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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