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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
49
周辺 -104% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
8.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
24
読み出し速度、GB/s
10.9
16.9
書き込み速度、GB/秒
8.7
14.5
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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