RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
比較する
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
51
周辺 -50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
34
読み出し速度、GB/s
9.8
15.4
書き込み速度、GB/秒
8.1
10.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2208
2739
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB RAMの比較
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link