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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
比較する
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
総合得点
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
8.1
7.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.5
6.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
63
周辺 -62% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
39
読み出し速度、GB/s
8.1
7.7
書き込み速度、GB/秒
7.5
6.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1945
1768
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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