RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 6.4
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 42
    周辺 -35% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 9.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 6.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 1958

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB RAMの比較

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
メモリRAM