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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
20.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,404.5
10.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
56
104
周辺 -86% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
56
読み出し速度、GB/s
3,192.0
20.1
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
10.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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