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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
比較する
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
総合得点
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
総合得点
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,201.1
10.7
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
74
周辺 -147% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
6400
周辺 3.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
74
30
読み出し速度、GB/s
4,178.4
14.7
書き込み速度、GB/秒
2,201.1
10.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
23400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
508
2935
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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