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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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考慮すべき理由
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
73
周辺 -97% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.5
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
37
読み出し速度、GB/s
3,510.5
9.5
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
7.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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