RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB

V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.6
    テスト平均値
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB 考慮すべき理由
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 68
    周辺 -113% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 1,702.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    68 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    3,886.6 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,702.6 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    654 left arrow 2791

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAMの比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB RAMの比較

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
メモリRAM