Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 14.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 10.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 50
    周辺 -100% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    15.3 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.9 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2512 left arrow 2583
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較