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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
総合得点
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
総合得点
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
35
周辺 6% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
15.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
11.3
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
35
読み出し速度、GB/s
15.8
15.1
書き込み速度、GB/秒
11.9
11.3
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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