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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比較する
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
14.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
10.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
38
周辺 -12% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
34
読み出し速度、GB/s
15.5
14.3
書き込み速度、GB/秒
12.0
10.9
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
2201
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