Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

総合得点

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

総合得点

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

バグを報告する

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

考慮すべき理由
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

36 45

周辺 -25% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.5 11.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.4 8.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

45 36
読み出し速度、GB/s

11.9 16.5
書き込み速度、GB/秒

8.1 13.4
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2077 3013

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Kingston 9905584-015.A00LF 4GB

Kingston 9905584-015.A00LF 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB