RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 65
    周辺 31% 低遅延
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB 考慮すべき理由
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 65
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2077 left arrow 2058

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB

EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
メモリRAM