RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
バグを報告する
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 45
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2077 left arrow 2657

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
メモリRAM