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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

総合得点
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 48
    周辺 6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 7.8
    テスト平均値
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2077 left arrow 2029

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
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Kingston 9905403-038.A00G 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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