RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
バグを報告する
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 42
    周辺 -2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 7.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 12.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1933 left arrow 2062

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB RAMの比較

AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
メモリRAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM