RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
Kingston X2YH1K-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 45
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 2875

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAMの比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB RAMの比較

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
メモリRAM