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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

総合得点
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB 考慮すべき理由
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 40
    周辺 -29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1789 left arrow 3289

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAMの比較

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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
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メモリRAM
Mushkin 996902 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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