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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
AMD R7S44G2606U1S 4GB
相違点
仕様
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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考慮すべき理由
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
30
周辺 -50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.9
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
6.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
20
読み出し速度、GB/s
10.6
18.9
書き込み速度、GB/秒
6.8
14.3
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2707
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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