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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
総合得点
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
77
周辺 -328% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.3
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.8
1,884.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
18
読み出し速度、GB/s
2,936.9
20.3
書き込み速度、GB/秒
1,884.0
17.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
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