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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
41
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
33
読み出し速度、GB/s
11.6
17.6
書き込み速度、GB/秒
7.3
12.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
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Frequency (Mhz) *
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