RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 43
    周辺 -59% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 3396

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAMの比較

OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
メモリRAM