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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB 考慮すべき理由
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 66
    周辺 -69% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 2,978.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    2,929.1 left arrow 8.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,978.2 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    511 left arrow 2011

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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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