RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 20.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,076.1 left arrow 16.4
    テスト平均値
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 59
    周辺 -97% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    4,723.5 left arrow 20.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,076.1 left arrow 16.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    741 left arrow 3703

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology HYQVF1B16 2GB
A-DATA Technology HYQVF1B16 2GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
メモリRAM