RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

総合得点
star star star star star
Teclast TLD416G26A30 16GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,303.7 left arrow 13.1
    テスト平均値
Teclast TLD416G26A30 16GB 考慮すべき理由
Teclast TLD416G26A30 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 117
    周辺 -225% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    117 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,094.8 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,303.7 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    784 left arrow 2719

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB

Teclast TLD416G26A30 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
メモリRAM