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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
53
周辺 -130% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
23
読み出し速度、GB/s
3,726.4
16.8
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
12.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2795
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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