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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
53
周辺 -96% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
27
読み出し速度、GB/s
3,726.4
16.7
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
11.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2756
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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