RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
71
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
71
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
1650
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link