RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
94
Wokół strony -224% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
29
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3313
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link