RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
94
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
27
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2062
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link