RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
94
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
54
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2938
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link