RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
94
Wokół strony -292% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3095
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link