RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
94
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
74
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1616
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link