RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
14900
12800
Wokół strony 1.16 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
14900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1967
2509
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link