RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
4.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
62
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
4.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
1808
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link