RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
3035
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link