RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
2394
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link