A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    5 left arrow 14.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 49
    Wokół strony -63% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 2,343.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 6400
    Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    49 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    5,135.8 left arrow 14.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,343.1 left arrow 9.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    843 left arrow 2374
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania