RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2771
2847
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link