RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2733
3587
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Team Group Inc. 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link