RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
56
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2326
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link