RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
56
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2763
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link