RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
4122
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link