RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3152
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link