RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
52
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
49
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2413
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link