RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3244
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link